RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
55
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
55
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
2701
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link