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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
35
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
30
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
6.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
1254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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