RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
35
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
9.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.9
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
1254
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link