RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
72
Autour de 39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
72
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2193
1951
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link