RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
72
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
72
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2193
1951
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link