RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,027.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
3124
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston ACR256X64D3S13C9G 2GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link