RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,027.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
52
Autour de -100% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
26
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
3124
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link