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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,027.0
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
52
Autour de -117% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
2971
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
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