RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Note globale
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
20
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,027.0
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
52
Autour de -174% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
19
Vitesse de lecture, GB/s
4,837.1
20.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,027.0
17.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
794
3499
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link