RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Puntuación global
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
20
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,027.0
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
19
52
En -174% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
19
Velocidad de lectura, GB/s
4,837.1
20.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,027.0
17.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
794
3499
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FJ 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link