RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Note globale
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,135.0
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
51
Autour de -76% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
29
Vitesse de lecture, GB/s
5,021.4
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,135.0
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3398
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link