RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Note globale
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
19.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,135.0
16.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
51
Autour de -89% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
27
Vitesse de lecture, GB/s
5,021.4
19.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,135.0
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3909
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link