RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,135.0
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
51
Autour de -55% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
33
Vitesse de lecture, GB/s
5,021.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,135.0
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2910
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link