RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
35
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
35
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2460
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link