RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
61
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
2,077.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
44
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2374
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link