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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 10.6
    テスト平均値
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    44 left arrow 61
    周辺 -39% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 2,077.3
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    61 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    3,835.2 left arrow 10.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,077.3 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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