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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
31
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
31
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2354
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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