RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
61
Autour de -97% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.1
2,077.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,835.2
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,077.3
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
606
2354
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link