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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Comparez
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Note globale
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
38
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.8
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2566
3242
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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