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Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Compara
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2566
3242
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
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