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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S 8GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
42
En -83% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.4
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2326
2686
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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