RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Compara
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
11.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
58
En -21% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,950.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
48
Velocidad de lectura, GB/s
4,241.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,950.7
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
651
2568
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link