RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Confronto
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
11.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
58
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
1,950.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
48
Velocità di lettura, GB/s
4,241.0
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,950.7
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
651
2568
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link