RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
58
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2568
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link