RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
62
Autour de -68% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
2808
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link