RAM-Vergleich Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 16

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,378.6 12.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 62

Rund um -68% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

861 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns