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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
62
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.3
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,378.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
36
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
1891
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
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Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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