RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de 15% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
2947
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link