RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
60
Autour de 55% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
60
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2554
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link