RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
33
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2947
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM-Vergleiche
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link