RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,378.6
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
62
Autour de -63% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
38
Vitesse de lecture, GB/s
4,670.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,378.6
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
861
2829
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparaison des RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link