RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Comparar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,378.6
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
62
Por volta de -63% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,670.6
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,378.6
10.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
861
2829
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link