RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
46
Autour de 41% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
46
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2541
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link