RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de 65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
77
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
1517
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link