RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony 65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
77
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1517
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link