RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
27
Autour de -13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
17.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
4122
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link