RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3463
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M379B5273DH0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link