RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2892
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
SK Hynix HMT325U6EFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link