RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
47
Autour de -57% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3496
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link