RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
27
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
22
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3110
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link