RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
27
Wokół strony -23% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
22
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3110
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link