RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
29
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.1
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3434
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link