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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Comparez
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Note globale
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
14.9
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2506
3550
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
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