Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB против Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Средняя оценка

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Причины выбрать
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 43

Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.1 14.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 9.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

43 30
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 18.1
Скорость записи, Гб/сек

9.6 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2506 3550

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB

модули RAM