RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
39
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
9.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2614
3204
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB Сравнения RAM
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link