RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Porównaj
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.4
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.9
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2614
3204
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link