RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de 25% latence réduite
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3009
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link