RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
39
Autour de -50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.4
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
19.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
3783
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link