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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
39
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.5
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.2
10.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2165
2346
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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