RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
39
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.3
Скорость записи, Гб/сек
8.2
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2165
2346
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link