RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
2761
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link