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Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB vs Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Note globale
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Raisons de considérer
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
41
Autour de -71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
24
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2142
2761
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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